特許
J-GLOBAL ID：200903050356631911

Ni-W系スパッタリングターゲット及びこれを用いたブラックマトリックス

発明者：
遠北 正和

遠北 正和 について

, 
渡辺 宏幸

渡辺 宏幸 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-163967
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342561
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 環境汚染の原因となるCrを含まず、レジスト濡れ性及び耐食性に優れた薄膜を形成できるスパッタリングターゲット、及びこれを用いてスパッタリングにより形成される薄膜部材、特にブラックマトリックスを提供する。【解決手段】 スパッタリングターゲットは、Wを5〜30重量%と、Al及びTiの少なくとも1種を合計で0.1〜10重量%含み、残部が実質的にNiであるNi基合金からなる。このターゲットを用いたスパッタリングにより、基材上に所定形状で上記組成を有する薄膜を備えた薄膜部材を作製でき、特にガラス基板上に形成された薄膜部材はブラックマトリックスとして有用である。
請求項（抜粋）：
Wを5〜30重量%と、Al及びTiの少なくとも1種を合計で0.1〜10重量%含み、残部が実質的にNiであるNi基合金からなることを特徴とするNi-W系スパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  G02B 5/20 101
FI (3件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/14 D ,  G02B 5/20 101
Fターム (9件)：
2H048BA11 ,  2H048BA53 ,  4K029AA09 ,  4K029BA25 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

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