X線検出素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107362
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：

【要約】【目的】 X線検出素子の製造方法を改良する。【構成】光電変換素子の受光面上にヨウ化セシウムからなるX線螢光体の積層構造を形成する第1のステップと、X線螢光体に波長0.3μm以下の紫外線を照射して活性化する第2のステップとを備える。波長0.3μm以下の紫外線が光電変換素子上のX線螢光体に照射されるので、X線螢光体の構成材料であるCsIが活性化されると共に、紫外線はこのX線螢光体で吸収されるので、光電変換素子にダメージを与えることがない。

請求項（抜粋）：

光電変換素子の受光面上にヨウ化セシウムからなるX線螢光体の積層構造を形成する第1のステップと、前記X線螢光体に波長0.3μm以下の紫外線を照射して活性化する第2のステップとを備えることを特徴とするX線検出素子の製造方法。

IPC (3件)：

G01T 1/20 , C09K 11/61 CPF , G01T 1/202

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭56-153270
特開昭52-144386

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