特許

J-GLOBAL ID：200903050362476332

半導体装置の製造方法

発明者： 塙 哲郎 ,  マリア・オプ・デ・ベック
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149391
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343308
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は基板の上に段差があっても、寸法制御性よくレジストパターンを形成することができ、かつ下地基板のエッチングを寸法制御性よく行なうことができるように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを最も主要な特徴とする。【構成】 半導体基板2の上に、昇華性を有し、かつ光を吸収する性質を有し、さらに有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷膜7を形成する。上記下敷膜7の上にレジスト8を塗布する。上記レジスト8に光12を選択的に照射する。上記レジスト8を現像し、それによってレジストパターン100を形成する。上記レジストパターン100をマスクにして、上記半導体基板2をエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に、昇華性を有し、かつ光を吸収する性質を有し、さらに有機溶剤に溶けない有機物質からなる下敷膜を形成する工程と、前記下敷膜の上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに光を選択的に照射する工程と、前記レジストを現像し、それによってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして、前記半導体基板をエッチングする工程と、を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/302

FI (3件)：

H01L 21/30 341 P ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/30 361 A