特許
J-GLOBAL ID：200903050366311931
ドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-191221
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017295
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：
【要約】【目的】薄膜導波路型第2高調波発生素子を始めとして、各種の光学材料に好適なドメイン反転処理が施されてなるニオブ酸リチウム単結晶薄膜を提供する。【構成】タンタル酸リチウム基板上に格子整合され、周期毎に結晶軸方向に分極が反転されるようにドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜である。
請求項（抜粋）：
タンタル酸リチウム基板上に格子整合され、周期毎に結晶軸方向に分極が反転されるようにドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜。
IPC (4件)：
C30B 29/30
, C30B 19/12
, H01L 49/02
, H01S 3/109
