特許

J-GLOBAL ID：200903050370575447

SOIウェーハおよびその製造方法

発明者： ロベルト ヘルツル ,  ディルク ダンツ ,  アンドレアス フーバー ,  ウルリッヒ ランベルト ,  ラインホルト ヴァーリッヒ
出願人/特許権者： ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171696
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005711
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】高い熱伝導率を有する電気絶縁層を有し、引き続く電子部品の製造の際に高い収率が保証されるSOIウェーハを提供する。【解決手段】シリコンからなる担体、担体の少なくとも1つの面の上に少なくとも1つの空間方向で少なくとも1.6W/(Km)の熱伝導率を有する少なくとも1つの電気絶縁層および電気絶縁層の上に平均層厚からの最大5%の標準偏差を有する10nm〜10μmの範囲の厚さおよび最大で0.5HF欠陥/cm2の密度を有する単結晶シリコン層を有するSOIウェーハである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリコンからなる担体、担体の少なくとも1つの面の上に少なくとも1つの空間方向で少なくとも1.6W/(Km)の熱伝導率を有する少なくとも1つの電気絶縁層および電気絶縁層の上に平均層厚からの最大5%の標準偏差を有する10nm〜10μmの範囲の厚さおよび最大で0.5HF欠陥/cm2の密度を有する単結晶シリコン層を有するSOI(シリコン・オン・インシュレーター)ウェーハ。

IPC (1件)：

H01L27/12

FI (2件)：

H01L27/12 B ,  H01L27/12 T

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平01-315129号
  
• 特開平03-069144号
  
• 特開平03-069145号
  
• 半導体基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-324275   出願人：旭化成工業株式会社

審査官引用 (15件)

• 集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-327021   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
• SOIウエーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-108643   出願人：信越半導体株式会社
• SOIウエーハの製造方法およびSOIウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-228688   出願人：信越半導体株式会社
• SOIウェハの製造方法及びSOIウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274624   出願人：株式会社コムテクス, 權龍範, 李鍾玄
• 半導体基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-324275   出願人：旭化成工業株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 特開平3-069145
  
• 特開平3-069144
  
• 特開平1-315129
  
• 特許第533551号
  
• 特許第829559号
  
• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• 特許第866150号
  
• 単結晶の引き上げ装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-039202   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン単結晶の引上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-329839   出願人：ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング