特許

J-GLOBAL ID：200903050373007032

配線形成方法

発明者： 辰巳 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-143572
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340004
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 表面に酸化層を有する高融点金属シリサイド層を、酸化シリコン系材料層パターンをマスクに、Cl2 /O2 混合ガスを用いてプラズマエッチングする際のエッチング形状の制御性を向上する。【構成】 第1の発明では、高融点金属シリサイド層4上に炭素系ポリマ層9を薄く形成しておく。第2の発明では、プラズマエッチングの初期段階に、炭素系化学種を発生しうるガスを添加し、2段階エッチングする。【効果】 いずれの発明も、酸化層8のブレークスルーステップにおいて炭素成分が供給され、酸化層8のエッチングレートが高まる。このためブレークスルー時間が短縮され、酸化シリコン系材料層パターン5aの側面直下に異常ブレークスルー部分や下地層にダメージ部分が発生することがない。したがって、酸化シリコン系材料層パターン5aをオフセット酸化膜に用いたセルフアラインコンタクトを信頼性高く製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

高融点金属シリサイド層上に、レジストマスクを用いて酸化シリコン系材料層パターンを選択的に形成する工程、前記レジストマスクをアッシング除去する工程、前記高融点金属シリサイド層を、前記酸化シリコン層パターンをエッチングマスクとするとともに、フッ素系化学種以外のハロゲン系化学種を発生しうるガスと、酸素系化学種を発生しうるガスを含む混合ガスを用いてプラズマエッチングする工程を有する配線形成方法であって、前記混合ガスを用いたプラズマエッチング工程に先立ち、少なくとも前記高融点金属シリサイド層上に炭素系ポリマ層を堆積する工程をさらに有し、この後前記高融点金属シリサイド層を前記混合ガスを用いてプラズマエッチングする工程を施すことを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/302 F