特許

J-GLOBAL ID：200903050377442680

無電解メッキ浴および導電膜の形成方法

発明者： 瀬川 雄司 ,  由尾 啓
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345380
公開番号（公開出願番号）：特開2001-164375
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：

【要約】【課題】微細化や高アスペクト比化した配線や接続孔においても均一に、かつ従来よりも速い成膜レートでバリアメタル層となる膜を成膜できる無電解メッキ浴およびそれを用いた導電層の形成方法を提供する。【解決手段】微細化した配線用溝(G1,G2)やコンタクトホールC2の内壁にバリアメタル層31となる導電膜を形成する工程において、被メッキ表面の活性化処理を行った後、導電膜の主成分を供給する第1金属材料と、導電膜にバリアメタル能を付与する成分を供給する第2金属材料と、両性イオンタイプの第1錯化剤と、メッキ反応を促進する第2錯化剤と、還元剤と、pH調整剤とを少なくとも含有し、pHが中性からアルカリ性の範囲に調整されている無電解メッキ浴を用い、上記導電膜を形成する。

請求項（抜粋）：

無電解メッキにより導電膜を成膜させるための無電解メッキ浴であって、前記導電膜の主成分を供給する第1金属材料と、前記導電膜にバリアメタル能を付与する成分を供給する第2金属材料と、両性イオンタイプの第1錯化剤と、メッキ反応を促進する第2錯化剤と、還元剤と、pH調整剤とを少なくとも含有し、pHが中性からアルカリ性の範囲に調整されている無電解メッキ浴。

IPC (4件)：

C23C 18/34 ,  C01G 51/00 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C23C 18/34 ,  C01G 51/00 A ,  H01L 21/288 N ,  H01L 21/88 B

Fターム (64件)：

4G048AA01 ,  4G048AB02 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G048AE06 ,  4G048AE07 ,  4K022AA02 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA06 ,  4K022BA12 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA24 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  4K022DB24 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF17 ,  4M104HH13 ,  5F033HH07 ,  5F033HH15 ,  5F033HH20 ,  5F033HH22 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ22 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04