特許

J-GLOBAL ID：200903050381344889

化学機械的研磨の厚さ除去を制御する方法およびシステム

発明者： ウィリアムズ,ロジャー オー.
出願人/特許権者： オブシディアン,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-516983
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501545
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】ケイ素酸化物などの選択された材料の除去を特定の深さで終了することが望ましい場合に、支持している半導体下部層上の選択された材料の化学機械的研磨による除去の深さを制御するための、改良された方法および装置である。この新規な方法およびシステムによれば、表面酸化物層などの選択された材料が研磨され、材料-下部層界面の方向に材料の除去が始まる。このシステムは、3つの主要な構成要素、即ち、化学機械的ウエハ研磨機、半導体薄膜厚測定装置、および統計信号処理アルゴリズム、を含み、それに関連するコンピュータシステムは、研磨前および研磨後の半導体薄膜厚測定値の過去の比率の実績に基づいて、現在および未来の除去速度を分析および予測することによる、化学機械的研磨システムの制御を提供する。

請求項（抜粋）：

一連のn個の基板の研磨中に基板の厚さ除去を制御する方法であって、nは1よりも大きい正の整数であり、以下の工程: 研磨前に第1の基板の厚さを測定する工程と、 該第1の基板を、所定時間の間研磨する工程と、 研磨後に該第1の基板の厚さを測定する工程と、 該研磨前の測定値と、該研磨後の測定値と、所定時間とに基づいて、実際の厚さ除去速度を決定する工程と、 該実際の厚さ除去速度に基づいて線形推定ファクタを適用し、研磨される次の基板のための調整された研磨時間を得て、多数の基板の研磨中に起こる研磨表面の劣化および不一致を調整する工程と、を包含する、方法。

IPC (3件)：

B24B 49/03 ,  B23Q 15/04 ,  B24B 37/04

FI (3件)：

B24B 49/03 Z ,  B23Q 15/04 ,  B24B 37/04 K