特許
J-GLOBAL ID：200903050382542145
半導体基板の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-216658
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045270
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】イオン注入後の熱処理を適切に行うことにより、イオン注入部分の格子欠陥を低減する。【構成】半導体基板にAs,P,B,BF2 等のイオンを注入した後、600°Cを超え800°C以下の温度で第1の熱処理を行い、引き続き800°Cを超え1000°C未満の温度で第2の熱処理を行う。第2の熱処理は500秒を超えて行うとよい。また、第1の熱処理をランピングにより行い、第2の熱処理を500秒を超えて行うことができる。さらに、第1および第2の熱処理をランプアニール炉で行ってもよい。
請求項（抜粋）：
半導体基板にイオンを注入した後600°Cを超え800°C以下の温度で第1の熱処理を行い、引き続き800°Cを超え1000°C未満の温度で第2の熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 21/324
