特許
J-GLOBAL ID：200903050384382013
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267201
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118615
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 半遮光部の膜厚制御が容易でしかも位相シフト層が高い精度で形成される位相シフトマスクの製造方法を提供すること。【構成】 ガラス基板1上に、クロム製遮光層形成用被膜2’とSiO2 製位相シフト層形成用被膜3’とクロム製耐エッチング層形成用被膜4’を製膜し、耐エッチング層形成用被膜4’上に電子線レジストr’を塗布しパターン描画と現像を行ってレジストパターンrを形成した後エッチング処理して耐エッチング層4を形成した。次にこの耐エッチング層4をマスクにし位相シフト層形成用被膜3’をドライエッチング処理して位相シフト層3を形成しかつ位相シフト層3をマスクにして遮光層形成用被膜2’をエッチング処理し半遮光部21と透光部22から成る遮光層2を形成すると共に耐エッチング層4も除去した。この方法によれば位相シフト層の加工精度が向上しかつ半遮光部の膜厚制御も容易なため高品質の位相シフトマスクを製造できる。
請求項（抜粋）：
透明基板と、この透明基板上に形成され透過する露光光の強度を適用されるフォトレジストの感度以下に減衰させる半遮光部と減衰させない透光部とで構成される遮光層と、この遮光層の半遮光部上に形成された位相シフト層とを備える位相シフトマスクの製造方法において、上記透明基板上に、遮光層形成用被膜と、位相シフト層形成用被膜と、位相シフト層形成用被膜のエッチング剤に対して耐性を有する耐エッチング層形成用被膜と、放射線感応性レジスト被膜とを順次一様に形成する工程と、上記放射線感応性レジスト被膜に対して放射線をパターン状に照射し、かつ、現像してレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンから露出する耐エッチング層形成用被膜をエッチング処理して耐エッチング層を形成する工程と、この耐エッチング層から露出する位相シフト層形成用被膜をドライエッチング処理して位相シフト層を形成する工程と、この位相シフト層から露出する遮光層形成用被膜をエッチング処理して遮光層を形成すると共に位相シフト層上に残留する耐エッチング層を除去する工程、を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
