特許
J-GLOBAL ID：200903050387719132
Si基体及びその加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-276376
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090115
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 X線マスク、光透過性基板、マイクロマシンニング等に応用できる、直下に支持体のない無支持薄層構造を有するSi基体、及び、その容易に、均一に、精度良く形成する加工方法を提供する。【構成】 一方の面に形成されたエッチング停止層と、該エッチング停止層のない面から該層まで部分的に形成された多孔質Si領域とを有する非多孔質Si基体を形成する工程と、弗酸、または弗酸に、アルコール、過酸化水素水のうち少なくとも1種類を添加した混合液をエッチング液として、前記多孔質Si領域のみを選択的にエッチング除去する工程とを有し、該除去により形成された空洞に接して、前記エッチング停止層を残存させ、直下に支持体のない無支持薄層とすることを特徴とするSi基体の加工方法。
請求項（抜粋）：
一方の面にエッチング停止層を有する非多孔質Si基体の該エッチング停止層のない面から該層まで部分的に形成した多孔質Siを、弗酸をエッチング液としてエッチング除去して形成した空洞に接して、前記エッチング停止層を残存させ、該層を直下に支持体のない無支持薄層として具備したことを特徴とするSi基体。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/027
, H01L 29/84
