特許

J-GLOBAL ID：200903050387944373

ウェーハ及び半導体装置の製造方法

発明者： 古川 和由
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260760
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 基板の再利用が可能で、バックラップ工程の不要な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に除去層2を設け、この除去層2上に分離層5を設け、この除去層2を選択的にエッチングする。このことにより、基板1を構成要素としない半導体装置を製造できる。

請求項（抜粋）：

GaAs結晶基板と、前記基板上に設けられ、前記基板上に対してエピタキシャル成長し、前記基板に対して選択的にエッチングできる除去層とを有することを特徴とするウェーハ。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 33/00 A

Fターム (7件)：

5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA63 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75