特許

J-GLOBAL ID：200903050390189837

プラズマ処理方法および装置

発明者： 大國 充弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226791
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043294
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチングなどのプラズマ処理では、高周波電極上にウエハを固定して行なう。このときウエハのベベル部に付着したCuなどの汚染物質がプラズマによってウエハ表面に再付着しないようにする。【解決手段】プラズマ処理装置の高周波電極1上にウエハ2を設置し、さらにリング3で、ウエハ2の表面部は覆わずベベル部2aのみが覆われるようにウエハ2を固定してプラズマ処理する。このリングのウエハ2と接触する部分はウエハ2のべべル部2aの傾斜と同じ傾斜を有する。したがってベベル部2aに付着した汚染物質10はプラズマ処理中表面まで拡散せず、しかもウエハ2の平面部はすべて露出するので半導体デバイスチップの取れ数が減少しない。

請求項（抜粋）：

減圧可能な処理室と、この処理室内にプラズマを発生するプラズマ発生手段と、前記処理室内に設置されたウエハの載置台と備えたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記載置台にウエハを載置し、前記ウエハのベベル部分のみを覆うとともに前記ウエハを前記載置台に固定して、プラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Fターム (9件)：

5F004AA01 ,  5F004BB23 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DB01 ,  5F045BB14 ,  5F045EM03 ,  5F103BB33 ,  5F103RR10