特許
J-GLOBAL ID:200903050394085939

導波路作成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-341152
公開番号(公開出願番号):特開平5-173034
出願日: 1991年12月24日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】【目的】 工程の簡素化及び導波損失の低減。【構成】 本発明の導波路作成方法は、シリコン基板110に屈折率低下用のドーパント(フッ素など)がドープされたクラッド層120を設け(図1(a))る。そして、炭酸ガスレーザからの光170をクラッド層120上の局所領域に集光して局所領域を溶融させる(図1(b))。つぎに、この溶融部130を所定のパターンに従って移動させて溶融部130の軌跡に高屈折率領域を形成してコア導波路パターン140を描く(図1(c))。コア導波路パターン140の形成後、FHDまたはCVDによりSiO2 の上部クラッド層150を堆積し焼結し、導波路を埋め込む(図1(d))。
請求項(抜粋):
基板上に屈折率低下用のドーパントがドープされた低屈折率層を設け、光源からの光を前記低屈折率層上の局所領域に集光して前記局所領域を融解させ、前記局所領域を所定のパターンに従って移動させて前記局所領域の軌跡に高屈折率領域を形成することを特徴とする導波路作成方法。

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