特許

J-GLOBAL ID：200903050394139850

低級酸化ケイ素粉末の製造方法

発明者： 市川 恒希 ,  吉田 昭夫 ,  田中 博勝 ,  長坂 英昭 ,  小林 晃
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002288
公開番号（公開出願番号）：特開2001-199716
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：

【要約】【課題】シリコン、カーボンの還元剤を用いずに、容易かつ安価に高純度の低級酸化ケイ素粉末を製造する。【解決手段】SiO2を主成分とし、シリコンとカーボンを実質的に含まないシリカ質原料を、通電式加熱炉からなる反応室で加熱してSiO含有ガスを発生させ、それを好ましくは1000°C/秒以上の冷却速度かつ0.2m/秒以上の流速で冷却し、生成した粉末を捕集することを特徴とするSiOx(1.0 請求項（抜粋）：

SiO2を主成分とし、シリコンとカーボンを実質的に含まないシリカ質原料を、通電式加熱炉からなる反応室で加熱してSiO含有ガスを発生させ、それを冷却し、生成した粉末を捕集することを特徴とするSiOx(1.0 Fターム (9件)：

4G072AA24 ,  4G072BB05 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072HH36 ,  4G072MM01 ,  4G072RR11 ,  4G072RR21 ,  4G072UU30