特許

J-GLOBAL ID：200903050395891076

非水系二次電池の製造方法と非水系二次電池

発明者： 石崎 晴朗 ,  松尾 直樹 ,  菊池 健晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351805
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173656
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 電解液を染込こんだゲル層を用いる非水系二次電池において、ゲルの活物質層への染込みが十分に行なわれるようにして、高容量化を実現する非水系二次電池の製造方法と、この製造方法による非水系二次電池を提供する。【解決手段】 正極と、負極と、電解液を含浸したゲル層とからなり、正極および負極は、活物質が分散された懸濁液を集電体上に所望のパターンで塗布した電極であり、且つ、ゲル層が電極上に設けられている非水系二次電池の製造方法において、ゲル層は、ゲル塗料を複数回、電極上に塗布して設ける非水系二次電池の製造方法であり、最初に塗布するゲル塗料の濃度は、その後に塗布するゲル塗料の濃度より薄いこととする。また、この非水系二次電池の製造方法により非水系二次電池を形成する。

請求項（抜粋）：

正極と、負極と、電解液を含有したゲル層からなり、前記正極および前記負極は、活物質が分散された懸濁液を集電体上に所望のパターンで塗布した電極であり、且つ、前記ゲル層が前記電極上に設けられている非水系二次電池の製造方法において、前記ゲル層は、ゲル塗料を複数回、前記電極上に塗布して設けることを特徴とする非水系二次電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01M 10/40 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/04

FI (3件)：

H01M 10/40 B ,  H01M 4/02 B ,  H01M 4/04 A

Fターム (17件)：

5H014AA02 ,  5H014BB08 ,  5H014CC01 ,  5H014EE01 ,  5H014EE10 ,  5H014HH08 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ03 ,  5H029AK03 ,  5H029AL06 ,  5H029AM00 ,  5H029AM03 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029BJ04 ,  5H029CJ22 ,  5H029HJ10