特許

J-GLOBAL ID：200903050397588265

電導度変調型トランジスタ

発明者： クライソン トロンナムチャイ
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329391
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193232
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、立ち上り電圧を下げて電力損失を十分小さくするとともに、禁制帯幅の小さい半導体材料を用いても動作可能最高温度を低下させないことを目的とする。【構成】 PNPN構造における少なくとも内側のP型領域又はN型領域の全域又は一部2を、外側のP型領域1又はN型領域を形成している半導体材料よりも禁制帯幅の小さい半導体材料で形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

PNPN構造を有する電導度変調型トランジスタにおいて、前記PNPN構造における少なくとも内側のP型領域又はN型領域の全域又は一部を、外側のP型領域又はN型領域を形成している半導体材料よりも禁制帯幅の小さい半導体材料で形成してなることを特徴とする電導度変調型トランジスタ。

FI (3件)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/78 321 J ,  H01L 29/78 321 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-157479
  
• 特開昭52-060577
  
• 特開平1-117360
  
• 特開平1-223767