特許

J-GLOBAL ID：200903050402236402

窒化ガリウム系化合物半導体をp型化する方法

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098498
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178211
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 p型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なp型にする。p型化された窒化ガリウム系化合物半導体の抵抗値をウエハー全体に均一にする。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体をp型化する方法は、気相成長法で、基板の表面に、バッファー層を成長させる工程と、このバッファー層が成長されたウエハーに、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、バッファー層と窒化ガリウム系化合物半導体層の成長されたウエハーを、アニーリングしてp型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層をp型化する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

気相成長法で、基板の表面に、バッファー層を成長させる工程と、このバッファー層が成長されたウエハーに、p型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、バッファー層と窒化ガリウム系化合物半導体層の成長されたウエハーを、アニーリングしてp型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層をp型化する工程とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体をp型化する方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/324 C ,  H01L 27/12 S ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-218625