特許

J-GLOBAL ID：200903050407100428

半導体装置

発明者： 福井 昭一 ,  紙田 行雄 ,  茂村 達也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008680
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204065
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】ノイズの増加など半導体素子の高速化に伴う悪影響を緩和し、低損失な半導体装置を提供することにある。【構成】本発明の半導体装置は、モジュール内において半導体素子の制御電極と主電極の間にコンデンサ接続する。【効果】主電流のdi/dtが抑制され、電圧ノイズやスイッチング損失を低減できる。

請求項（抜粋）：

金属基板上に、導体層を表面に施した絶縁基板を配置し、その絶縁基板上に1個以上の半導体素子と複数個の配線端子がろう付けされていて、前記金属基板の外周部をケースで覆い、そのケース内側にシリコーンゲル、及びハードレジンを充填する構造のパワーモジュール半導体装置において、前記半導体素子のうち、少なくとも1個以上は、主電流をコントロールする制御端子と、主電流が流れる一対の主端子を有する三端子素子であり、該半導体素子近傍の制御端子と一方の主端子の間にコンデンサを接続し、半導体素子とコンデンサがケース内に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/30 R ,  H01L 25/04 C