特許
J-GLOBAL ID：200903050407250837
結晶性薄膜の研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349600
公開番号（公開出願番号）：特開平5-154761
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：
【要約】【目的】 厚みに勾配のある基板上に結晶性薄膜を形成した場合でも、結晶性薄膜を均一の膜厚に研磨することができ、さらに結晶性薄膜を再現良く同じ膜厚に研磨できる研磨方法を提供する。【構成】 基板の接着面に平面を形成し、結晶性薄膜を形成させた基板及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着するにあたり、定盤に結晶性薄膜の被研磨面が接触しないように調整されたダミー体を、結晶性薄膜が形成された基板体の周囲に配置し、偏心荷重おもりを用いて、ダミー体の被研磨面と基板の結晶性薄膜との境界面が平行になるように研磨する工程、さらに均一に荷重をかけて薄膜を研磨する工程とで構成される。
請求項（抜粋）：
(a)結晶性薄膜を形成させた基板及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着するにあたり、定盤に結晶性薄膜の被研磨面が接触しないように調整されたダミー体を結晶性薄膜の周囲に配置し、接着剤により接着する工程。(b)偏心荷重おもりを用いてダミー体の被研磨面と基板の結晶性薄膜との境界平面が平行になるように研磨する工程。(c)結晶性薄膜を所望の厚さに研磨する工程。以上(a)〜(c)の工程により構成される結晶性薄膜の研磨方法。
IPC (2件)：
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