半導体基板及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036039
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232324
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャルシリコン基板のゲッタリング能力を改善すために、シリコン基板に含まれる不純物と同じ不純物を用いてミスフィット転位を形成すると、所期の効果が得られないとともにラッチアップ耐性が劣化される。【解決手段】エピタキシャル層14とシリコン基板11の界面付近に格子歪みが大きくなるような不純物のイオン注入層13を形成する。例えば、共有結合半径がシリコンよりも小さいボロンを含むシリコン基板に対して、共有結合半径の大きなゲルマニウムをイオン注入することで、その界面付近に高密度にミスフィット転位15,16が形成され、高いゲッタリング能力が得られるようになる。また、不純物としてシリコン基板中でキャリアとなるような元素を用いないことでラッチアップ耐性を改善する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面にエピタキシャル層を形成してなるエピタキシャルシリコン半導体基板において、シリコン基板中の不純物の共有結合半径がシリコンよりも小さく、シリコンよりも共有結合半径の大きな不純物が前記シリコン基板とエピタキシャル層の界面に選択的に添加されてなることを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/322 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/322 J , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭54-091079
特開昭58-030144
特開昭57-021815

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