特許

J-GLOBAL ID：200903050413901351

成膜方法

発明者： 不破 耕 ,  前平 謙
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-173899
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368070
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】静電チャックプレートで樹脂などの絶縁性基板に導電性薄膜を成膜する場合に、吸着力を効果的に発現させて、例えば基板の熱変形などを防止する技術に関する。【解決手段】本発明では、静電チャックプレート21表面に絶縁性基板5を載置してターゲット3に第1の電力を供給し、絶縁性基板5表面に導電性薄膜を成膜した後、導電性薄膜の膜厚が所定値になったらターゲット3に第1の電力より高い第2の電力を供給し、高い成膜速度で成膜している。ターゲット3に高い第2の電力が供給されると、絶縁性基板5には大きな熱が加えられるが、グラディエント力より大きい静電吸着力が導電性薄膜と静電チャックプレート21との間に生じ、絶縁性基板は静電チャックプレート21に強く吸着され、冷却された静電チャックプレート21により絶縁性基板5が十分に冷却されるので、高い成膜速度で成膜しても、絶縁性基板5の温度が過度に上昇して熱変形することはない。

請求項（抜粋）：

電極を備えた静電チャックプレート上に絶縁性基板を載置し、導電性薄膜を前記絶縁性基板上に成膜する成膜方法であって、前記絶縁性基板を前記静電チャックプレート上に載置した後、第1の成長速度で前記絶縁性基板上に前記導電性薄膜を成長させる第1の成膜工程と、前記導電性薄膜の膜厚が予め定められた設定値に達した後、第2の成長速度で前記絶縁性薄膜上に前記導電性薄膜を成長させる第2の成膜工程とを有し、少なくとも前記第2の成膜工程では、前記電極に電圧を印加して前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間に静電吸着力を生じさせ、該静電吸着力で前記絶縁性基板を前記静電チャックプレート上に吸着させながら、前記絶縁性基板上に前記導電性薄膜を成長させ、前記第2の成長速度を、前記第1の成長速度より高くすることを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

H01L 21/68 R ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R

Fターム (23件)：

4K029AA11 ,  4K029BA17 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029JA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104DD39 ,  5F031CA02 ,  5F031HA18 ,  5F031HA19 ,  5F031HA38 ,  5F031LA07 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031PA11 ,  5F031PA13 ,  5F031PA30 ,  5F045BB09 ,  5F045EJ02 ,  5F045EM05