特許

J-GLOBAL ID：200903050414231937

コンダクタンスの制御が可能な電子素子

発明者： 青野 正和 ,  寺部 一弥 ,  長谷川 剛 ,  中山 知信
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  理化学研究所
代理人 (1件)： 滝田 清暉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265344
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076325
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電極間でコンダクタンスが量子化を生じる細線あるいはポイントコンタクトを含む架橋を構築する手法を提供するとともに、電極間に構築した架橋、細線、ポイントコンタクトによるコンダクタンスの制御を利用した電子素子を提供する。【解決手段】 可動イオン14を含む混合導電体材料から成る第一電極11及び導電性物質から成る第二電極12により電子素子を構成する。この混合導電体材料としてはAg2S、Ag2Se、Cu2S又はCu2Seが好ましい。電子素子の第一電極11に対して第二電極13が負となるように電極間に電圧を印加し、可動イオン14を第一電極11から第二電極12方向へ移動させることにより電極間に架橋15を形成する段階、及び電極間の電圧極性を逆にすることによって架橋15を細くし又は切断する段階の少なくとも一つの段階から成る電極間のコンダクタンス制御方法である。

請求項（抜粋）：

イオン伝導性及び電子伝導性を有する混合導電体材料から成る第一電極及び導電性物質から成る第二電極により構成され、電極間のコンダクタンスを制御することが可能な電子素子。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/80 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/80 A

Fターム (3件)：

5F102FB10 ,  5F102GB10 ,  5F102GJ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-133465
  
• 特開平2-027739