プラズマエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046817
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263408
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】クリーニング後のシリコン及び下地膜である酸化膜(SiO2)のエッチング速度の変化を抑制しウエハ間の均一性を向上させるのに好適なプラズマエッチング方法を提供することにある。【構成】クリーニング後HClあるいはBCl3ガスプラズマとCl2あるいはCl2とO2の混合ガスプラズマでシーズニング並びにプレエッチングを行い、クリーニング後の処理室(4)内の残留物の影響を減少させる。【効果】クリーニング後の残留フッ素の影響を抑制しシリコン及び酸化膜のエッチング速度の変動を防止することができる。

請求項（抜粋）：

フッ素を含むガスプラズマによりクリーニングを行い、クリーニング後、塩素ガスの単独ガスあるいは塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いてシリコン、多結晶シリコン、シリサイドのエッチングを行うエッチング装置において、前記クリーニング後に塩化水素ガス、三弗化硼素ガスの単独ガスあるいは塩化水素ガス,三弗化硼素ガス,塩素ガスの少なくとも2種類以上の混合ガスのプラズマによるシーズニングとエッチングガスのプラズマによるプレエッチングを行った後エッチングを開始することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-242927
特開平4-087329
特開平4-199708

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