特許

J-GLOBAL ID：200903050425990392

ドライエツチング方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329841
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144783
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 S(イオウ)の堆積を側壁保護に利用して、Al系材料層の異方性エッチングを高精度に行う。【構成】 ベルジャー14の内壁面にSiS2 等からなるS系材料層23を配し、このS系材料層23とECRプラズマPとの接触面積を昇降式シャッタ24の操作により調節可能とした有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置を使用した。上記接触面積を大とするほど系内へのSの供給量が増大し、ウェハ18面上において側壁保護効果および対レジスト選択比が向上する。この装置内でたとえばCl2 ガスを用いてAl系多層膜をエッチングする場合、オーバーエッチング時に上記接触面積を増大させれば、良好な異方性形状を維持することができる。側壁保護物質として従来のようにCClx 等を用いないので、アフターコロージョン対策としても優れている。

請求項（抜粋）：

処理チャンバの内壁部の少なくとも一部がイオウ系材料層により被覆されてなり、かつ該イオウ系材料層とプラズマとの接触面積を可変となし得るシャッタ部材を備えたプラスマ装置に塩素系化合物または臭素系化合物の少なくとも一方を含むエッチング・ガスを導入し、前記イオウ系材料層から前記接触面積に応じて供給されるイオウおよび/またはイオウ系材料を被エッチング基板の表面に堆積させながらアルミニウム系材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-220433
  
• 特開昭61-007632
  
• 特開平2-224240
  
• 特開平3-241740