特許
J-GLOBAL ID：200903050427786547
配線基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-168641
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017294
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】高誘電率でかつ高強度を有し、且つ量産時においても強度のバラツキが小さい配線基板とその製造方法を提供する。【解決手段】少なくともSiO2 、Al2 O3 、MgO、ZnOおよびB2 O3を含有する結晶性ガラス粉末と、ZrO2 を含有するセラミックフィラーとの混合物に、溶解度パラメータが8.5〜11.0のアクリル系バインダーと、有機溶媒とを添加混合して調製したスラリーを用いてグリーンシートを作製した後、該グリーンシートに導電性ペーストを印刷し、800°C〜1000°Cの温度で焼成して、絶縁基板が、ZrO2 結晶相と、スピネル型結晶相と、SiO2 -Al2 O3 -RO(R:アルカリ金属)系結晶とを含み、且つ平均ボイド径が10μm以下、最大ボイド径が15μm以下の焼結体からなる配線基板を得る。
請求項（抜粋）：
少なくともSi、Al、Mg、Zn、B(ホウ素)およびZrを含有するガラスセラミック焼結体からなる絶縁基板と、配線導体層とを具備する配線基板であって、該焼結体が、ZrO2 結晶相と、スピネル型結晶相と、SiO2 -Al2 O3 -RO(R:アルカリ金属)系結晶とを含み、且つ平均ボイド径が10μm以下、最大ボイド径が15μm以下であることを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
H05K 1/03 610
, H01L 23/15
H05K 1/03 610 D
, H01L 23/14 C
