特許

J-GLOBAL ID：200903050431360589

半導体装置製造方法および半導体装置

発明者： 大湯 静憲 ,  平岩 篤 ,  由上 二郎 ,  糸賀 敏彦 ,  峰 利之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230336
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129311
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜と半導体基板表面とから形成される界面での未結合手を効率良く終端することのできる半導体装置製造方法および界面未結合手の少ない半導体装置を提供すること。【構成】上記目的は、絶縁膜と半導体基板との界面における未結合手の終端において、終端工程を、界面応力緩和と水素離脱反応とを含みかつ未結合手を終端させる第1の終端工程と、上記第1の終端工程で残された未結合手を界面応力変化と水素離脱反応の少ない状態で終端させる第2の終端工程との2段階からなる工程とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と半導体基板との界面における未結合手の終端において、終端工程が、界面応力緩和と水素離脱反応とを含みかつ未結合手を終端させる第1の終端工程と、該工程に続く、上記第1の終端工程で残された未結合手を界面応力変化と水素離脱反応の少ない状態で終端させる第2の終端工程との2段階の終端工程からなることを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/94 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-062974