高調波対策装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-119423
公開番号（公開出願番号）：特開平6-335152
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】低次及び高次調波を半導体素子の特性を生かして処理すると共に処理容量の配分を制御して合理的運用を可能にする。【構成】電力系統に接続される3巻線トランスTR1の2次巻線S(750V)にGTOサイリスタを使用した低次調波用アクティブフィルタAF1を接続し、3次巻線T(300V)にIGBT又はFET或いはJBTを使用した高次調波用アクティブフィルタAF2を接続する。AF1はGTOサイリスタを使用しているので大きな処理容量を必要とする低次調波を処理できると共にGTOサイリスタに適した高い電圧で運用できる。また、AF2はIGBT又はFET或いはJBTを使用しているので大きな容量を処理できないが高次調波の処理に適する。AF1,AF2にリミッタを設けることにより各々を随意に処理容量の制限が可能となり、最適な運用が可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体素子にGTOサイリスタを用いた低次調波用アクティブフィルタと半導体素子にIGBT又はFET或いはJBT素子を用いた高次調波用アクティブフィルタを組合せたことを特徴とする高調波対策装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-028712
特開昭62-239829

前のページに戻る