特許

J-GLOBAL ID：200903050434905985

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井谷 直毅
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008138
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】アルミの上にチタン膜を設けた配線の場合でも、微細配線間を絶縁膜で確実に埋め込む。【構成】アルミ13bの上にチタン膜13cを設けた配線層13をTEOSのプラズマCVD膜14で覆い、アルゴンスパッタエッチングによりそれらのエッジ部をテーパー状に面取りした後、TEOSのプラズマCVD膜15を全面に形成する。【効果】アルミ13bの上のチタン膜13cがアルゴンスパッタエッチングにより除去されることがない。

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜である下地絶縁膜の上に配線層を形成する工程と、前記配線層を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、前記配線層の上縁部及びそれを覆う前記第2の絶縁膜の上縁部をエッチングにより夫々テーパー状に面取りする工程と、全面に第3の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/88 F ,  H01L 21/90 Q