特許
J-GLOBAL ID：200903050435972775
単結晶ウエハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028171
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223496
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 良好な結晶性を得るために高温での成長を必要とする材料からなる単結晶ウエハおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】 単結晶Siウエハからなる第1の基板1上に3C-SiCからなる単結晶SiC2をSiの融点以下の温度でエピタキシャル成長させ、単結晶SiC層2にHを層状にイオン注入し、単結晶SiC層2の上面を板状体4に吸着する。熱処理により、原子状水素をイオン注入により形成された結晶欠陥における構成元素の不対結合手に移動させて不対結合手を終端させる。それにより、単結晶SiC層2中の所定の深さに層状に分布する多数の空隙を形成し、熱歪により空隙の領域3aで単結晶SiC層2を分断する。板状体4に吸着された単結晶SiC層2bの下面を第2の基板上に接着した後、板状体4を取り外す。単結晶SiC層2b上に単結晶SiC層を高温でエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体からなる第1の基板上に所定の物質からなる第1の単結晶層を第1の温度でエピタキシャル成長により形成する第1の工程と、前記第1の単結晶層の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入する第2の工程と、前記所定の元素が注入された前記第1の単結晶層の上面を板状体に吸着または接着する第3の工程と、熱処理により、前記第1の単結晶層中に注入された前記所定の元素の領域に層状に分布する空隙を形成し、前記第1の単結晶層を前記層状に分布した空隙の領域で切断して前記板状体に吸着または接着された第1の単結晶層と前記第1の基板上に形成された第1の単結晶層とに分離する第4の工程と、前記板状体に吸着または接着された前記第1の単結晶層を前記第1の基板よりも高い融点を有する第2の基板上に接着した後、前記第1の単結晶層から前記板状体を取り外す第5の工程と、前記第2の基板上に接着された前記第1の単結晶層上に前記所定の物質からなる第2の単結晶層を前記第1の温度よりも高い第2の温度でエピタキシャル成長により形成する第6の工程とを備えたことを特徴とする単結晶ウエハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 21/20
