特許

J-GLOBAL ID：200903050437788750

半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉川 公麿
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020833
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053216
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】ヒロックの発生を防止し、ストレスマイグレーション耐性およびエレクトロマイグレーション耐性の良好な電極配線を有する半導体装置を提供すること。【構成】Al-Si-Cu合金膜と反応性スパッタリング法で形成した窒化チタン膜をそれぞれ交互に2層以上積層した多層膜は、機械的に変形し難く、ヒロックの発生を防止できる。また、粒界および界面にTi-Al金属間化合物ができ、ボイドの発生を抑止する。中間の窒化チタン膜によりボイドの伝播が阻止される。また、Ti-Al化合物の形成は制限され、抵抗上昇は無視できる。

請求項（抜粋）：

シリコンチップの所定の絶縁膜を、Al-Si-Cu合金膜と窒化チタン膜とを交互にそれぞれ少なくとも2層宛積層した多層膜で選択的に被覆してなる電極配線を有することを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-059937
  
• 特開昭60-119751
  
• 特開昭62-114241
  
• 特開平4-018760