特許
J-GLOBAL ID：200903050444648603
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038480
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206125
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 三層レジスト工程で生じていた配線膜の酸化物からなる側壁膜を生じることなしにパターニングする。【構成】 半導体基板上に形成された段差を有する下地絶縁膜1上にアルミニウム合金膜2を形成する。この合金膜2上に、酸化膜3とポリイミド膜4と塗布型酸化膜(SOG膜)5とフォトレジスト膜6を順次形成した後、前記フォトレジスト膜6をパターニングし、フォトレジスト膜6をマスクとして前記塗布型酸化膜5をパターニングする。この塗布型酸化膜5をマスクとして前記ポリイミド膜4をパターニングし、このポリイミド膜4をマスクとし、前記酸化膜3をパターニングし、ポリイミド膜4,塗布型酸化膜5,フォトレジスト膜6を除去した後、この絶縁膜3のみをマスクとして前記合金膜2をパターニングし、配線を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された段差を有する下地絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、この金属膜上に絶縁膜と有機膜と塗布型酸化膜とフォトレジスト膜を順次形成する工程と、前記フォトレジスト膜をパターニングした後、このフォトレジスト膜をマスクとして前記塗布型酸化膜をパターニングする工程と、この塗布型酸化膜をマスクに前記有機膜をパターニングし、この有機膜をマスクとし、前記絶縁膜をパターニングし、有機膜,塗布型酸化膜,フォトレジスト膜を除去した後、この絶縁膜のみをマスクとして前記金属膜をパターニングし、配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/027
, H01L 21/302
H01L 21/88 D
, H01L 21/30 361 S
, H01L 21/88 N
