特許
J-GLOBAL ID：200903050444671516
ITO微粉末及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345745
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157837
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 粉末の真比重ならびに圧粉密度が充分に高く、かつ透明導電薄膜形成工程における加熱時の温度安定性に優れたITO微粉末を提供する。【解決手段】 結晶形態がコランダム(Corundum)型で、真比重が6.5g/cc以上、圧粉密度が3.0g/cc以上、ゼーベック係数が常温において30μV/cc未満、200°C加熱後が80μV/cc未満であるITO微粉末。また、インジウム塩ならびにスズ塩を含む水溶液をアンモニアで中和し、反応溶液pHを6.8〜7.5の範囲で制御し、得られた中和澱物を濾過、乾燥、洗浄後、大気中600〜700°Cで仮焼した後、還元雰囲気中350〜450°Cで還元焼成するITO微粉末の製造方法。
請求項（抜粋）：
結晶形態がコランダム(Corundum)型で、真比重が6.5g/cc以上、圧粉密度が3.0g/cc以上、ゼーベック係数が常温において30μV/cc未満、200°C加熱後が80μV/cc未満であるITO微粉末。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01G 19/00 A
, H05K 9/00 V
