特許
J-GLOBAL ID：200903050445024620
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
, 箱崎 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-111190
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319732
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】トレンチマルチリサーフ構造を有する半導体装置において、十分な耐圧を有する終端部の構造を提供する。【解決手段】リサーフのP層18およびN層16のPN接合対で構成される電荷補償構造をセル部のみならず、終端部にも持たせる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の主面に形成され、セル部となる第1の領域と、この第1の領域の外周に位置する第2の領域であって、空乏層を伸ばすことにより電界を緩和して耐圧を維持する終端部となる第2の領域とを有する第1導電型の半導体層と、
前記第1導電型の半導体層内で前記第1の領域から前記第2の領域内に至るまで列をなすように前記第1の主面に平行な第1の方向に周期的に配置され、互いに逆導電型の不純物を有する半導体層の接合対であって、前記第1導電型の半導体層の表面から前記半導体基板に向けて形成された第2導電型の第1の不純物拡散層と、この第1の不純物拡散層に隣接して前記第1導電型の半導体層の表面から前記半導体基板に向けて形成された第1導電型の第2の不純物拡散層とで構成される接合対と、
前記第1の領域における前記接合対の表面層において前記第1の不純物拡散層と前記第2の不純物拡散層とに共通に接続するように選択的に形成された第2導電型ベース領域と、
前記第2導電型ベース領域の表面層に選択的に形成された第1導電型ソース領域と、
前記第2導電型ベース領域の表面と前記第1導電型ソース領域の表面との上に絶縁膜を介して形成された制御電極と、
前記制御電極を間に挟むように形成され、前記第1導電型ソース領域と前記第2導電型ベース領域とに共通に接触する第1の主電極と、
前記半導体基板の前記第1の主面とは逆の第2の主面に形成された第2の主電極と、
を備える半導体装置。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L29/78 652N
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 658A
