特許

J-GLOBAL ID：200903050448453793

同期型半導体記憶装置

発明者： 新田 泰彦 ,  築出 正樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230250
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073776
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 マルチバンクマルチDQの同期型半導体記憶装置のメモリアレイとデータ入出力端子との間の配線レイアウトを容易にする。【解決手段】 1つのメモリアレイ(1)は、複数のバンク(♯1〜♯4)に分割される。この1つのメモリアレイに含まれる複数のバンクを構成するメモリ列ブロックに対し各バンクごとにグローバルIOバス(Ga〜Gd)が配設される。これらのグローバルIOバスは、同じデータ入出力端子に電気的に接続される。

請求項（抜粋）：

アクセスの有無にかかわりなく繰返し与えられるクロック信号に同期して動作する同期型半導体記憶装置であって、外部データの入力および出力の少なくとも一方を行なうためのデータ端子と、前記データ端子に対応して設けられる1つのメモリアレイを備え、前記メモリアレイは行列状に配置される複数のメモリセルを含み、かつ前記メモリアレイは、各々が互いに独立に駆動され、かつ互いに隣接してかつ前記メモリセルの行に関して整列するように配置される複数のバンクに分割される、同期型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 J