特許

J-GLOBAL ID：200903050452395528

単一準位と複数準位間の光学遷移が可能な半導体多層構造

発明者： 佐々木 郁 ,  橋本 直行 ,  覧具 博義 ,  三沢 和彦
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (2件)： 平山 一幸 ,  海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276156
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111878
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】単一準位と複数準位間のバンド間光学遷移が可能、かつ準位間エネルギー間隔や、各準位間の振動子強度が制御可能な半導体多層構造を提供する。【解決手段】バンドギャップ・エネルギーが異なる半導体層4,5を少なくとも2層以上積層した量子井戸層2と量子井戸層2の両側に積層する半導体障壁層3,3とからなり、量子井戸層2の半導体層4,5間のバンドギャップエネルギー差を制御し、且つ、量子井戸層のバンドギャップエネルギーがもっとも小さい半導体層の層厚を制御して、この半導体層の価電子帯の第1準位がこの半導体の量子井戸内に局在するようにし、且つ、この半導体の伝導帯の第1準位がこの半導体の量子井戸内に存在しないようにし、これらの準位の波動関数の空間形状を異ならせて振動子強度を小さくする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の層厚と所定のバンドギャップ・エネルギーを有する半導体層を少なくとも2層以上積層した量子井戸層と、この量子井戸層の両側に積層する該量子井戸層よりもバンドギャップ・エネルギーが大きい半導体障壁層とからなることを特徴とする、単一準位と複数準位間の光学遷移が可能な半導体多層構造。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (6件)：

5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NA10 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049QA16