特許
J-GLOBAL ID：200903050467563656
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293206
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153659
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、解像力を低下させず、矩型性の良いレジストパターンが得られるように改良された、化学増幅型レジストを用いたレジストパターンの形成方法を提供することを主要目的とする。【構成】 半導体基板2の上に、化学増幅型レジスト膜1を形成する。化学増幅型レジスト膜1の上に、第1のレジスト被覆膜23を介在させて、酸を含む第2のレジスト被覆膜24を形成する。第1および第2のレジスト被覆膜23,24が被覆された化学増幅型レジスト膜1に向けて、選択的に光または放射線4を照射し、潜在画像を形成する。その後、化学増幅型レジスト膜1を現像する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜の上に、第1のレジスト被覆膜を形成する工程と、前記第1のレジスト被覆膜を介在させて、前記化学増幅型レジスト膜の上に、酸を含む第2のレジスト被覆膜を形成する工程と、前記第1および第2のレジスト被覆膜が被覆された前記化学増幅型レジスト膜に向けて、選択的に光または放射線を照射し、潜在画像を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜を現像する工程と、を備えたレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/004 503
, G03F 7/038 505
