特許
J-GLOBAL ID：200903050468966975
発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140669
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 10nm以下の寸法を持つ極微細なシリコン量子細線からなる高効率発光素子及びその製造方法の提案。【構成】 基板上に絶縁膜を介して形成された太さ0.01μm以下の量子細線中に形成されたp-n接合からなる基本構成において、量子細線の両端からキャリアを注入する。【効果】 シリコン集積回路プロセスと互換性があり、かつ高効率な発光特性を示すデバイスを実現可能。
請求項（抜粋）：
p-n接合を持つシリコンの量子細線からなり、接合域に電子と正孔とを注入することを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
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