特許

J-GLOBAL ID：200903050475280353

ミュート回路

発明者： 山里 啓介
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293009
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111446
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、バイアス電圧を半導体集積回路内部で発生することにより、外付けの直流電源が不要となり、外部端子を減少することのできるミュート回路を提供することを目的とする。【解決手段】 スイッチ(38)の切り換えに応じてミュート用MOSトランジスタ(M5)のベースに所定負電圧を供給してオフし、ミュート用MOSトランジスタ(M5)のオフにより入力信号を減衰することなく出力するミュート回路において、発振信号を生成する発振回路(44)と、発振信号をクランプ及び平滑して前記所定負電圧を得るクランプ平滑回路(C11,M2,R1,C12)を有することにより、所定負電圧のバイアス電圧を半導体集積回路内部で発生することができ、外付けの直流電源が不要となり、半導体集積回路の外部端子を減少することができる。

請求項（抜粋）：

スイッチの切り換えに応じてミュート用MOSトランジスタのベースに電源電圧または所定負電圧を供給してオン,オフし、前記ミュート用MOSトランジスタのオンにより接地レベルを基準として正負の値を持つ入力信号を減衰して出力を停止させ、前記ミュート用MOSトランジスタのオフにより前記入力信号を減衰することなく出力するミュート回路において、発振信号を生成する発振回路と、前記発振信号をクランプ及び平滑して前記所定負電圧を得るクランプ平滑回路とを有することを特徴とするミュート回路。

IPC (2件)：

H03H 11/24 ,  H03F 1/00

FI (2件)：

H03H 11/24 A ,  H03F 1/00 B

Fターム (27件)：

5J092AA02 ,  5J092CA91 ,  5J092CA92 ,  5J092FA00 ,  5J092FR02 ,  5J092HA10 ,  5J092HA17 ,  5J092HA19 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA38 ,  5J092KA04 ,  5J092KA11 ,  5J092KA12 ,  5J092KA21 ,  5J092KA32 ,  5J092KA42 ,  5J092KA47 ,  5J092MA21 ,  5J092QA02 ,  5J092TA06 ,  5J098AA01 ,  5J098AB04 ,  5J098AB34 ,  5J098AC14 ,  5J098AD25 ,  5J098EA09