特許

J-GLOBAL ID：200903050489524565

エツチング方法

発明者： 崎山 英之 ,  森本 忠雄 ,  久▲礼▼ 得男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298778
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136103
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】Alドライエッチングにおいて、高アスペクト比に伴う側壁保護膜不足によるサイドエッチを防止する。【構成】塩素を含むガスによるドライエッチングでは、Al4との選択比が極めて高いW5をエッチングマスクとすることにより、マスクの薄膜化が図られる。【効果】マスクの薄膜化により、パターンのアスペクト比を下げ、微細パターンの加工側壁を保護できるので、サイドエッチを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

塩素または、塩素を含むガスを用いてAl,Al-Si合金、Al-Cuなどの単層膜もしくはこれらとTi,TiNなどの金属の積層膜をドライエッチングする方法において、エッチングマスクにWもしくはMoを用いることを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N