特許

J-GLOBAL ID：200903050489591858

赤外線センサ

発明者： 若林 秀一 ,  櫻井 顕治 ,  椎木 正和 ,  團野 幹史 ,  佐々木 昌
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240122
公開番号（公開出願番号）：特開2000-065639
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板サイズを大きくすることなく、熱電対の数を増やして高出力化し、温度分解能の高い熱型赤外線センサを得る。【解決手段】 シリコン基板22の中央に中央ヒートシンク26(冷接点形成領域)を設け、その外周に空洞部24を隔てて外周側ヒートシンク27(冷接点形成領域)を設ける。空洞部24の上には熱絶縁性薄膜25(温接点形成領域)を設ける。熱絶縁性薄膜25を経て中央ヒートシンク26と外周側ヒートシンク27の間にはジグザグ状にサーモパイル30を配線し、サーモパイル30の温接点32を熱絶縁性薄膜25上に配置して赤外線吸収体34で覆い、冷接点31を各ヒートシンク26,27上に配置する。

請求項（抜粋）：

基板の温接点形成領域と冷接点形成領域との上にサーモパイルを配線し、温接点形成領域の上にサーモパイルの温接点を配置し、冷接点形成領域の上にサーモパイルの冷接点を配置した赤外線センサにおいて、温接点形成領域によって分離された複数の冷接点形成領域を設けたことを特徴とする赤外線センサ。

IPC (3件)：

G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 35/32

FI (3件)：

G01J 1/02 C ,  G01J 5/02 B ,  H01L 35/32 A

Fターム (11件)：

2G065AB02 ,  2G065BA11 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065DA20 ,  2G066AC13 ,  2G066BA01 ,  2G066BA08 ,  2G066BA09 ,  2G066BA55