半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087330
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129429
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】微細化に適したウェル構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】分離酸化膜(22)によって分離絶縁された活性領域において、所定の深さに平板状のウェル(24,26,28)を埋込形成し、その平板状ウェル(24,26,28)の表面全面に接するとともに、上部周辺が全周にわたって分離酸化膜(22)の下面に接するように埋込形成された、高濃度不純物層(32,33,34)を有する。その結果、すべてのウェルが熱拡散工程を経ずに形成されるため、チャネルへの不純物の染み出しによる不都合な現象が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板表面に形成され、活性領域を分離絶縁する分離酸化膜と、この分離酸化膜によって分離絶縁された活性領域表面から所定の深さにかけて形成された上層第1導電型ウェルと、この上層第1導電型ウェルの下面を覆い、かつ前記上層第1導電型ウェルの周側面を前記分離酸化膜とともに包囲するように、前記活性領域全域にわたって連続して埋込形成された、所定厚さの高濃度第1導電型層と、前記高濃度第1導電型層の下面を覆うように前記活性領域全域にわたって埋込形成された、所定厚さの下層第1導電型ウェルと、を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 27/092 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 27/10 325 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-220858
特開平2-123766
特開昭62-248247

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