特許

J-GLOBAL ID：200903050509970915

半導体レーザ素子

発明者： 松原 邦雄 ,  栗林 均
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287138
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142808
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】エッチングストップ層の全面で、確実にエッチンググを停止させ、LDの特性を高める。【構成】エッチングストップ層をGaAs/AlGaAsの多重量子井戸層とし、GaAs層の厚みを0.004μm以下、トータルで0.007μm以上とすることにより、製造過程における第3クラッド層のエッチングは、GaAs層の全面で均一に停止し、また量子効果により、レーザ光がエッチングストップ層で吸収される割合を従来のLDと同一レベルに確保し、高歩留りで特性のよいLDを得ることができる。

請求項（抜粋）：

Alx Ga1-x As系(0≦X≦1)半導体レーザ素子のGaAs基板の一主面上に、Alx Ga1-x As第1クラッド層、AlY Ga1-Y As活性層、Alx Ga1-x As第2クラッド層、エッチングストップ層、AlxGa1-x As第3クラッド層、Alx Ga1-x As第4クラッド層、およびコンタクト層を有し(0≦Y≦X≦1)、前記第3クラッド層の側面に、第3クラッド層とは逆導電型の電流狭窄層がレーザ光と平行に形成された半導体レーザ素子において、前記エッチングストップ層をGaAs層とAlZ Ga1-Z As層(0≦Z≦1)の積層からなる多重量子井戸層としたことを特徴とする半導体レーザ素子。