特許
J-GLOBAL ID：200903050510613948
光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075023
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261102
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 軽量で、光起電力特性に富み、光電変換効率が高く、大面積化が容易で、比較的安価に製造できる光起電力素子を提供する。【解決手段】 pin型光起電力素子であって、そのpin型半導体接合のi型半導体層105が、光劣化が少ない微結晶シリコン(μc-Si)105Aの利点を生かすように当該微結晶シリコンからなる層と非晶質シリコン(a-Si)105Bからなる層とが交互に積層された積層構造からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型半導体層、i型半導体層、およびn型半導体層を積層して形成したpin型の半導体接合を有する光起電力素子において、前記i型半導体層は、微結晶i型半導体層と、前記微結晶i型半導体層の膜厚より薄い膜厚である非晶質i型半導体層とが交互に積層された積層構造を有するものであることを特徴とする光起電力素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/12 C
, H01L 31/04 B
