湿式処理層の欠陥減少方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 松本公雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-506167
公開番号（公開出願番号）：特表2006-525429
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

本発明は、脱ガスされた電気化学的析出溶液、脱ガスされた電気化学的研磨溶液、脱ガスされた無電解析出溶液、脱ガスされた洗浄液などの脱ガスされた処理溶液を用いることによって、導体層を湿式処理するための方法及び装置を提供する。この技術は、処理装置に脱ガスされた処理溶液を送る前に処理溶液を脱ガスすること又は処理装置においてイン-サイチュ(in-situ)で処理溶液を脱ガスすることを含んでいる。

請求項（抜粋）：

ワークピース上の層の表面を処理する方法であって、処理溶液の脱ガスを行うことにより、脱ガスされた処理溶液を得るステップと、前記処理溶液を用いて前記層の表面を処理するステップとを含むことを特徴とする処理方法。

IPC (10件)：

C25D 21/04 , H01L 21/288 , H01L 21/320 , C23C 18/16 , C25D 7/12 , C25F 3/00 , C23F 1/00 , H01L 21/304 , H01L 21/306 , B32B 15/20

FI (12件)：

C25D21/04 , H01L21/288 E , H01L21/88 K , C23C18/16 Z , C25D7/12 , C25F3/00 A , C23F1/00 A , H01L21/304 642A , H01L21/304 648F , H01L21/304 648G , H01L21/306 J , B32B15/20

Fターム (61件)：

4F100AB17B , 4F100AB17C , 4F100AT00A , 4F100AT00D , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100EH71B , 4F100GB41 , 4F100JA11B , 4F100JG01B , 4F100YY00C , 4K022AA05 , 4K022BA08 , 4K022BA14 , 4K022BA18 , 4K022DA01 , 4K022DB30 , 4K024AA09 , 4K024BB12 , 4K024CA16 , 4K024CB24 , 4K024CB26 , 4K024GA16 , 4K057DB05 , 4K057DD05 , 4K057DE01 , 4K057DK10 , 4K057DN01 , 4K057WB04 , 4K057WB06 , 4K057WG10 , 4K057WH10 , 4K057WN01 , 4M104BB04 , 4M104DD22 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM13 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033WW02 , 5F033XX00 , 5F043DD14 , 5F043DD16 , 5F043EE24 , 5F043EE25 , 5F043EE27

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