特許
J-GLOBAL ID:200903050516136319
高温用半導体圧力センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-118171
公開番号(公開出願番号):特開平11-311580
出願日: 1998年04月28日
公開日(公表日): 1999年11月09日
要約:
【要約】【課題】マイグレーションや酸化による短絡や断線などのトラブルが起きない高温用半導体圧力センサを提供することを目的とする。【解決手段】圧力検出部,パッド部及び圧力検出部とパッド部を電気的に接続する配線部よりなる圧力検出デバイスの構造を細長い形状にし、前記圧力検出デバイスの一方の端に圧力検出部、他方の端に圧力信号を取り出すためのパッド部を配置する。そして、圧力検出デバイスの圧力検出部とパッド部の中間で圧力検出デバイスを固定する部材に高耐熱性の接合材料で気密に接着する。
請求項(抜粋):
半導体シリコン基板よりなる圧力センサにおいて、圧力検出デバイスの構造が細長い形状を有し、前記圧力検出デバイスの一方の端に圧力検出部、他方の端に圧力信号を取り出すためのパッド部を配置し、前記圧力検出デバイスの圧力検出部とパッド部の中間で前記圧力検出デバイスを前記圧力検出デバイスの固定用部材に高耐熱性の接合材料で気密に接合したことを特徴とする高温用半導体圧力センサ。
IPC (5件):
G01L 23/18
, F02D 35/00 368
, F02M 51/02
, F02P 13/00 303
, G01L 9/04 101
FI (5件):
G01L 23/18
, F02D 35/00 368 Z
, F02P 13/00 303 G
, G01L 9/04 101
, F02M 51/02 A
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