特許

J-GLOBAL ID：200903050516953783

極度に粗れた基板上の半導体構造

発明者： レサック,オリヴィエ ,  マルティネ,ミュリエル ,  ビソン,セフォ ,  ポルティグリアッティ,リオネ
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-502141
公開番号（公開出願番号）：特表2006-517734
出願日： 2004年02月11日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

本発明は、0.5nm rmsより大きい粗さの表面又は分子結合に不適合な化学的性質を有する基板(10)又は支持体層と、半導体材料から選択された材料の層(14)と、基板又は支持体層と半導体材料から選択された材料の層との間に位置する、結合層と名付ける層(12)とを含む半導体構造に関する。

請求項（抜粋）：

0.5nm rmsより大きい粗さの表面又は分子結合に不適合な化学的性質、及び1W/cm/Kより大きい熱伝導率を有する基板(10,30)又は支持体層と、 半導体材料から選択された材料の層(14,24)と、 前記基板又は支持体層と前記半導体材料から選択された材料の層との間に位置する、結合層と名付ける層(12,22)と、 を含む半導体構造。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (1件)：

H01L27/12 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 埋込み絶縁層を有する接着ウェハ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-111533   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 絶縁体上シリコンウエハの製造のための単一エッチングストップ方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-528591   出願人：シボンド・リミテッド・ライアビリテイ・カンパニー
• 集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-327021   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.