特許

J-GLOBAL ID：200903050519285307

半導体回路用基板の製造方法及び半導体装置

発明者： 内田 友香 ,  篠原 英樹
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025328
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229458
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】貼り合わせ時に、気泡を残存させることなく、初期の接着力を長期間維持できる半導体集積回路用基板を提供する。【解決手段】(A)絶縁体層および導体パターンからなる配線基板、(B)導体パターンが形成されていない層および(C)接着剤層のそれぞれを少なくとも一層有する半導体集積回路用基板の製造方法であって、(A)の配線基板と接着剤層の貼り合わせ面、または(B)層と接着剤層の貼り合わせ面のいずれか少なくとも一方に有機溶剤を塗布した後に圧着し、その後加熱し有機溶剤を揮発除去させることを特徴とする半導体集積回路用基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)絶縁体層および導体パターンからなる配線基板、(B)導体パターンが形成されていない層および(C)接着剤層のそれぞれを少なくとも一層有する半導体集積回路用基板の製造方法であって、(A)の配線基板と接着剤層の貼り合わせ面、または(B)層と接着剤層の貼り合わせ面のいずれか少なくとも一方に有機溶剤を塗布した後に圧着し、その後加熱し有機溶剤を揮発除去させることを特徴とする半導体集積回路用基板の製造方法。

Fターム (2件)：

5F044MM11 ,  5F044MM48