特許

J-GLOBAL ID：200903050524570230

超格子アバランシェフォトダイオード

発明者： 渡邊 功
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-335438
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181349
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 メサ周辺部での電界強度を低減化して、リーク電流がホットキャリア化して表面保護膜に注入・蓄積されるのを防止し、素子の長寿命化を図る。【構成】 n+ 型InP基板201、n+ 型InPバッファ層202、n- 型InPバッファ層203、n+ 型InP電界緩和層204、アンドープInAlGaAs/InAlAs超格子増倍層205、p+ 型InP電界緩和層206、p- 型InGaAs光吸収層207、p型InPキャップ層208、p+ 型InGaAsコンタクト層209を積層したものにおいて、n+ 型InP電界緩和層204を、メサ中央部で厚くメサ周辺部で薄くなるようにする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に、第1導電型バッファ層、第1導電型電界緩和層、i型もしくは低不純物濃度第1導電型の超格子増倍層、第2導電型電界緩和層、低不純物濃度の第2導電型光吸収層がこの順に積層されているメサ型の超格子アバランシェフォトダイオードにおいて、前記第1導電型電界緩和層の層厚がメサ周辺部で薄く中央部で厚くなされていることを特徴とする超格子アバランシェフォトダイオード。