特許
J-GLOBAL ID：200903050525271849
IIb型ダイヤモンド単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011117
公開番号（公開出願番号）：特開平5-200271
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：
【要約】【目的】 サーミスタやトランジスタなどに用いられる半導体特性を有する大型のIIb型ダイヤモンド単結晶の新規な育成方法を提供する。【構成】 温度差法によりダイヤモンド単結晶を育成する方法において、炭素源としてホウ素を孤立置換型不純物として結晶内に含むIIb型ダイヤモンドを用いることを特徴とする。これにより種結晶上に育成されるIIb型ダイヤモンドはホウ素が均一に分布した大型単結晶であり、半導体特性の非常に優れたものである。
請求項（抜粋）：
高温部に炭素源、低温部にダイヤモンドの種結晶を配し、該炭素源と該種結晶の間に溶媒を配して、該溶媒が溶解する温度以上、ダイヤモンドか熱的に安定となる圧力以上の条件で保持し、該種結晶上に新たなダイヤモンド結晶を育成する方法において、該炭素源としてホウ素を孤立置換型不純物として結晶内に含むIIb型ダイヤモンドを用いて、該種結晶上に、少なくとも該炭素源に用いたIIb型ダイヤモンドより大きく結晶内部のホウ素濃度分布が均一であるIIb型ダイヤモンド結晶を育成することを特徴とする上記方法。
IPC (5件)：
B01J 3/06
, C01B 31/06
, C30B 9/10
, C30B 29/04
, H01L 21/205
